Samsung lên kế hoạch tùy biến nhân Mongoose và phát triển chipset tiến trình 3nm cho flagship năm 2022

Mặc dù đội hát triển CPU tùy biến đã bị Samsung cho giải tán, nhằm tái cơ cấu lại bộ máy. Tuy nhiên, phát hiện mới đây của Android Authority cho thấy họ đã có những kế hoạch rất sớm, chuẩn bị cho flagship năm 2022.

Trang công nghệ phát hiện trên mạng xã hội việc làm Linkedln một số hồ sơ, cho thấy Samsung đang làm việc dở dang với hai dự án tùy biến CPU cho chipset Exynos. Cả bốn hồ sơ đều bỏ dở ở Mongoose M6, ban đầu được sắp xếp để triển khai cho thế hệ Galaxy S năm 2021.

Một hồ sơ còn nhắc đến cái tên Mongoose M7, có thể là dự án bí mật chuẩn bị cho flagship Galaxy S năm 2022, thế hệ CPU tùy biến thứ 7 của chipset Exynos. Hiện tại, Galaxy S20 đang dùng Exynos 990 có lõi tùy biến Mongoose M5. Mẫu Galaxy S7 năm 2016 là lần đầu tiên flagship Samsung dùng nhân tùy biến - Mongoose M1.
Như vậy, Android Authority đưa ra dự đoán rằng các nhân sự trong Samsung LSI đã tiến hành ít nhất hai dự án tùy biến CPU, trước khi đơn vị này bị giải tán. Không rõ Samsung có định tận dụng nốt dự án M6 vào sản phẩm thương mại hay không, hay sẽ bỏ xó nó.

Thế hệ Mongoose M5 trên Exynos 990 hiện đang là tâm điểm chỉ trích của dư luận. Nhiều bài test cho thấy Galaxy S20 bản Exynos kém xa Snapdragon, thua cả về hiệu năng, đồ họa, quản lý nhiệt và pin. Người dùng bản Exynos cũng báo cáo nhiều vấn đề về nóng máy, hao pin, bị lag khi chơi game,...

Ngoài ra, Samsung cũng đã vạch ra kế hoạch sản xuất chip với tiến trình 3nm và quyết tâm đạt được mục tiêu này trong năm 2022. Tiến trình này sẽ mang đến nhiều tiến bộ cho công nghệ bóng bán dẫn, chẳng hạn như Samsung đang nghiên cứu công nghệ Gate-All-Around FET (GAAFET) giúp kiểm soát các kênh bán dẫn (transistor channel) tốt hơn, ngăn tình trạng rò rỉ thường hay xuất hiện ở các tiến trình nhỏ. Mới đây, Samsung tiếp tục cung cấp thêm thông tin về công nghệ Multi Bridge Channel FET (MBCFET) dành cho tiến trình 3nm.

Đầu tiên, MCBFET là một phần của GAAFET, tức GAAFET đúng hơn là phân loại (class) gồm nhiều ý tưởng dựa trên nó. Về mặt hiệu năng thì Samsung cho biết MCBFET sẽ tiết kiệm điện hơn 50% và có hiệu năng cao hơn 30%. Ngoài ra thì Samsung còn dự đoán rằng phần không gian mà một bóng bán dẫn chiếm dụng sẽ được giảm đi 45%, từ đó giúp tăng mật độ bóng bán dẫn. Tất cả những con số này đều được so sánh với một tiến trình 7nm chưa được xác định cụ thể, nhưng nhiều khả năng thì đây là tiến trình FinFET của Samsung.

Công nghệ MCBFET còn cho phép xếp chồng bóng bán dẫn lên nhau, giúp tiết kiệm không gian rất nhiều so với FinFET thông thường. Bên cạnh đó, chiều ngang của bóng bán dẫn có thể thay đổi linh hoạt tùy theo yêu cầu, từ đó giúp nhà thiết kế chip điều chỉnh lại cho phù hợp với mục đích hiệu năng cao hoặc tiết kiệm điện.

 

CHỦ ĐỀ TƯƠNG TỰ

• Bản cập nhật AI của Microsoft Edge trên Windows 11 bổ sung tính năng gắn thẻ, menu “Ask Copilot” mới
• Ứng dụng Ảnh của Windows 11 đang thử nghiệm tích hợp Microsoft Designer
• Cập nhật Windows mới - Chrome đang có các điều khiển camera và mic giống như Microsoft Teams
• Microsoft hé lộ bản nâng cấp AI lớn của Windows 11, AI cục bộ và hơn thế nữa
• ASUS Zenbook Duo OLED UX8406 hoàn toàn mới: Laptop hai màn hình OLED siêu rộng tích hợp chip AI Intel Core Ultra